迄今為止，微帶仍然是射頻和微波設(shè)計(jì)中最常用的傳輸線結(jié)構(gòu)。但是，隨著數(shù)字和混合技術(shù)設(shè)計(jì)的速度和密度不斷提高，情況越來越少。

由于對(duì)于相同的阻抗，微帶線通常比帶狀線更寬，并且由于與微帶線相關(guān)的輻射增加，因此它既需要更多的布線空間，也需要更大的距離附近的走線。在純RF或微波設(shè)計(jì)中，這通常不是問題，但是隨著對(duì)更小產(chǎn)品尺寸的需求以及隨之而來的組件密度的增加，它成為一種不那么容易獲得的選擇。

結(jié)構(gòu)體

微帶傳輸線由寬度為W，厚度為t的導(dǎo)體（通常為銅）構(gòu)成，該導(dǎo)體在比傳輸線本身寬的接地平面上布線，并被厚度為H的電介質(zhì)隔開。（請(qǐng)參見下面的圖1）。最佳實(shí)踐是確保地面參考平面在表面微帶走線的兩側(cè)至少延伸3H。

優(yōu)點(diǎn)

· 從歷史上看，微帶線的主要優(yōu)勢(shì)可能是僅使用兩層板，而所有組件都安裝在一側(cè)的能力。這簡(jiǎn)化了制造和組裝過程，是成本最低的RF電路板解決方案。由于所有連接和組件都在同一表面上，因此在進(jìn)行連接時(shí)無需使用過孔。除了成本因素之外，這也是理想的，因?yàn)槭褂猛撞粫?huì)增加電容或電感。

· 由于對(duì)于相同的阻抗，微帶走線通常會(huì)比帶狀線走線寬，因此，由于制造中的蝕刻容限是絕對(duì)值，因此更容易對(duì)走線的特征阻抗進(jìn)行更嚴(yán)格的控制。因此，如果您的走線寬度為20密耳，并且蝕刻過度，寬度減小了1密耳，那么與過度蝕刻5百萬條帶狀線并減小到4密耳寬度相比，這是一個(gè)很小的百分比變化。例如，在FR408材料中，比地面高20mils，高11.5mils的微帶走線，介電常數(shù)為3.8，將產(chǎn)生大約50.8 ohms。如果將此跡線減小到19mils，則特性阻抗將約為52.6歐姆，特性阻抗增加3.6％。而在同一材料中具有上下6mil接地的5mil帶狀線將產(chǎn)生大約50.35歐姆，但是??當(dāng)減小1mil至4mil時(shí)，特性阻抗將約為56.1 ohm，增加11.5％。在完成某些設(shè)計(jì)時(shí)，沒有指定最終走線的特征阻抗，而是指定了最終寬度。在相同的過蝕刻方案中，減少100萬密耳的500萬跡線將使最終走線寬度減少20％，而減少100萬密耳的20密耳的跡線將減少寬度5％。

缺點(diǎn)

· 由于微帶傳輸線通常很寬，并且布設(shè)在電路板的表面，因此這意味著可用于組件放置的表面積將減少。這使得微帶對(duì)于空間幾乎總是非常寶貴的高密度混合技術(shù)設(shè)計(jì)沒有多大用處。

· 微帶傳輸線將比其他傳輸線類型輻射更多，這將是產(chǎn)品整體輻射EMI的主要貢獻(xiàn)者。

· 再次，由于來自微帶的輻射增加，因此串?dāng)_成為一個(gè)問題，因此需要提供與其他電路元件的間距增加，從而導(dǎo)致可用的布線密度降低。

· 微帶設(shè)計(jì)通常需要外部屏蔽，這會(huì)增加成本和復(fù)雜度。實(shí)際上，這已成為便攜式設(shè)備（如手機(jī)）設(shè)計(jì)中最重要的問題之一。許多產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)力越來越小，因此越來越薄。這意味著屏蔽層將更靠近電路板表面，這將增加傳輸線每單位長(zhǎng)度的電容，從而改變其阻抗。選擇使用微帶傳輸線和推導(dǎo)阻抗模型時(shí)，請(qǐng)謹(jǐn)慎考慮。如果走線需要穿過外部屏蔽壁，則可能需要將傳輸線寬度修改一小段距離，通常是通過一個(gè)“隧道”，該隧道通常比屏蔽罩的頂部更靠近板表面。

· 微帶特征阻抗將受到阻焊劑或其他表面涂層的影響。從一個(gè)制造商到另一個(gè)制造商，甚至從同一供應(yīng)商的一個(gè)板到另一個(gè)板，這些涂層的應(yīng)用都可能非常不一致，因此，這些涂層對(duì)表面微帶走線阻抗的影響非常未知。

· 小銘打樣SMT貼片加工廠：微帶傳輸線是分散的，隨著頻率增加，會(huì)導(dǎo)致信號(hào)失真。